The Practical Material Challenges Involved in using the Topological Insulator BiSb in a Spin Transfer Device
The Practical Material Challenges Involved in using the Topological Insulator BiSb in a Spin Transfer Device
复制标题
在自旋转移装置中使用拓扑绝缘体 BiSb 所涉及的实际材料挑战
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Takano
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
B. York;P. N. Hai;Q. Le;C. Hwang;Nguyen H.D. Khang;Ho Hoang Huy;J. Sasaki;X. Liu;S. Le;M. Ho;H. Takano
