Anisotropic silicon trenches 300–500 μm deep employing time multiplexed deep etching (TMDE)
Anisotropic silicon trenches 300–500 μm deep employing time multiplexed deep etching (TMDE)
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采用时间复用深蚀刻 (TMDE) 形成 300–500 μm 深的各向异性硅沟槽
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Khanna
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Ayón;Xin Zhang;R. Khanna
