Thick GaN Capped AlGaN/GaN HEMTs for Reduced Surface Effects
Thick GaN Capped AlGaN/GaN HEMTs for Reduced Surface Effects
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厚 GaN 盖帽 AlGaN/GaN HEMT 可减少表面效应
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Elksne, M.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Elksne, M.
