InAs/GaAs quantum-dot lasers monolithically grown on Si substrate
InAs/GaAs quantum-dot lasers monolithically grown on Si substrate
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在 Si 衬底上单片生长的 InAs/GaAs 量子点激光器
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Seeds
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Huiyun Liu;A. Lee;Q. Jiang;A. Seeds
本文介绍了用于硅光子学的InAs/GaAs量子点激光器的研究进展。在Si和Ge基片上的器件在室温下都能产生1.3 μm附近的激光。
We present the studies on the development of InAs/GaAs quantum-dot lasers monolithically grown on Si for Si photonics. Room-temperature lasing near 1.3 μm has been demonstrated for the devices on Si and Ge substrates.