超高真空中におけるSiC(0001)表面上のエピタキシャルSiON薄膜形成
超高真空中におけるSiC(0001)表面上のエピタキシャルSiON薄膜形成
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超高真空下SiC(0001)表面外延SiON薄膜形成
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松尾ともみ，白濱順哉，中川剛志，○水野清義
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ando;Y. Iizuka;K. Oto;K. Muro;and M. Nakajima;松尾ともみ，白濱順哉，中川剛志，○水野清義
