Growth of (FexMg1−x)2SiO4 single crystals by the double pass floating zone method
Growth of (FexMg1−x)2SiO4 single crystals by the double pass floating zone method
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双通道浮区法生长 (FexMg1−x)2SiO4 单晶
DOI：
10.1016/s0022-0248(96)00461-7
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发表时间：
1996
影响因子：
1.8
通讯作者：
R. Dieckmann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tsai;S. A. Markgraf;M. Higuchi;R. Dieckmann
