Tri-Gate GaN Junction HEMTs: Physics and Performance Space
Tri-Gate GaN Junction HEMTs: Physics and Performance Space
复制标题
三栅 GaN 结 HEMT：物理和性能空间
DOI：
10.1109/ted.2021.3103157
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发表时间：
2021
影响因子：
3.1
通讯作者：
Zhang, Yuhao
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ma, Yunwei;Xiao, Ming;Du, Zhonghao;Wang, Han;Zhang, Yuhao
