大気圧プラズマCVD法によるSi選択エピタキシャル成長
大気圧プラズマCVD法によるSi選択エピタキシャル成長
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采用常压等离子体CVD法选择性外延生长Si
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安武潔
中科院分区：
文献类型：
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作者：
大西崇之;桐畑豊;大参宏昌;垣内弘章;安武潔
