Chemical Vapor Deposition of Large-Sized Hexagonal WSe2 Crystals on Dielectric Substrates
Chemical Vapor Deposition of Large-Sized Hexagonal WSe2 Crystals on Dielectric Substrates
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DOI：
10.1002/adma.201503446
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发表时间：
2015-11-11
影响因子：
29.4
通讯作者：
Loh, Kian Ping
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chen, Jianyi;Liu, Bo;Loh, Kian Ping
采用常压化学气相沉积法，在氢气存在下，可以在介质衬底上生长出高质量的大尺寸六方晶WSe 2晶体。这些六方晶体（横向宽度>160 μ m）具有100 cm（2）V-1 s（-1）的载流子迁移率和接近1100 mA W-1的光响应度，这与剥离的薄片的光响应度相当。[图形]。
High-quality large-sized hexagoal WSe2 crystals can be grown on dielectric substrates using atmospheric chemical vapor deposition in the presence of hydrogen gas. These hexagonal crystals (lateral width >160 um) have a carrier mobility of 100 cm(2) V-1 s(-1) and a photoresponsivity of approximate to 1100 mA W-1, which is comparable to that of exfoliated flakes.[GRAPHICS].