High breakdown voltage of p-GaN/AlGaN/GaN diode with controlled Mg acceptor charge
High breakdown voltage of p-GaN/AlGaN/GaN diode with controlled Mg acceptor charge
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具有受控 Mg 受主电荷的 p-GaN/AlGaN/GaN 二极管的高击穿电压
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Naotaka Iwata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Soichiro Kawata;Satoshi Fukutani;Yuwei Zhang;and Naotaka Iwata
