Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain
Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain
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具有高电压增益的硅单孔晶体管中非常尖锐的室温负微分电导
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kousuke Miyaji;Masumi Saitoh;Toshiro Hiramoto
