Evidence of carrier trapping at extrinsic gate region in N-polar GaN/AlGaN MIS HEMTs
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N 极 GaN/AlGaN MIS HEMT 中非本征栅极区域载流子俘获的证据
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Suemitsu and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Prasertsuk;T. Suemitsu and T. Matsuoka
