Fabrication and characterization of silicon notched nanowire FETs with selective channel dopants
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复制标题
具有选择性沟道掺杂剂的硅缺口纳米线 FET 的制造和表征
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
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通讯作者：
Tan Z
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tan Z
