Study of ALD HfO2-based high-k for GaN power devices and Ferroelectric devices
Study of ALD HfO2-based high-k for GaN power devices and Ferroelectric devices
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用于GaN功率器件和铁电器件的ALD HfO2基高k材料的研究
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasuo Koide
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toshihide Nabatame;Takashi Onaya;Erika Maeda;Masashi Hirose;Yoshihiro Irokawa;Koji Shiozaki;Yasuo Koide
