六方晶窒化ホウ素リリース層上の窒化物半導体成長とその応用
六方晶窒化ホウ素リリース層上の窒化物半導体成長とその応用
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六方氮化硼脱模层上氮化物半导体的生长及其应用
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
熊倉一英
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小林康之;廣木正伸;熊倉一英
