Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation
Line width dependence of anisotropic strain state in SiGe films induced by selective ion implantation
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选择性离子注入引起的 SiGe 薄膜中各向异性应变状态的线宽依赖性
DOI：
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发表时间：
2011
影响因子：
2.3
通讯作者：
and Y. Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hoshi;K. Sawano;A. Yamada;S. Nagakura;N. Usami;K. Arimoto;K. Nakagawa;and Y. Shiraki
