Modeling and Simulation of Antiferroelectric FETs with Oxide Semiconductor Channel Using Half-Loop Hysteresis for Memory Applications
Modeling and Simulation of Antiferroelectric FETs with Oxide Semiconductor Channel Using Half-Loop Hysteresis for Memory Applications
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使用半环磁滞对存储器应用中具有氧化物半导体通道的反铁电 FET 进行建模和仿真
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masaharu Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xingyu Huang;Yuki Itoya;Zhuo Li;Takuya Saraya;Toshiro Hiramoto;and Masaharu Kobayashi
