Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy
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利用气源分子束外延形成压缩应变 Si/Si1-xCx/Si(100) 异质结构
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.084
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发表时间：
2013
影响因子：
1.8
通讯作者：
Keisuke Arimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Arimoto;Shoichiro Sakai;Hiroshi Furukawa;Junji Yamanaka;Kiyokazu Nakagawa;Noritaka Usami;Yusuke Hoshi;Kentarou Sawano;Yasuhiro Shiraki;Keisuke Arimoto
