単一イオン注入法による位置と個数を制御したデバイスの低温伝導特性評価
単一イオン注入法による位置と個数を制御したデバイスの低温伝導特性評価
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单离子注入法评估位置和数量受控器件的低温导电特性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
品田賢宏
中科院分区：
文献类型：
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作者：
堀匡寛;E.Prati;F.Guagliarldo;小野行徳;小松原彰;熊谷国憲;谷井孝至;遠藤哲郎;大泊巌;品田賢宏
