Observation of dislocations in thick β-Ga2O3 single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron X-ray topography
Observation of dislocations in thick β-Ga2O3 single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron X-ray topography
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使用博尔曼效应同步加速器 X 射线形貌观察厚 β-Ga2O3 单晶基板中的位错
DOI：
10.1063/5.0088701
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
6.1
通讯作者：
Ishikawa Yukari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yao Yongzhao;Hirano Keiichi;Sugawara Yoshihiro;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ishikawa Yukari
