Characterization of shallow donor-doped silicon molecular beam epitaxial layers by electron spin resonance
Characterization of shallow donor-doped silicon molecular beam epitaxial layers by electron spin resonance
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电子自旋共振表征浅施主掺杂硅分子束外延层
DOI：
10.1016/0040-6090(90)90397-v
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发表时间：
1990
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
O. Schirmer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Dirksmeyer;O. Schirmer
