Characterization of Implantation Layer in (1-100) Oriented 4H- and 6H- SiC
Characterization of Implantation Layer in (1-100) Oriented 4H- and 6H- SiC
复制标题
(1-100) 取向 4H- 和 6H- SiC 中注入层的表征
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.905
复制
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Kuriyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Satoh;Y. Nakaike;K. Uchimura;K. Kuriyama
