Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy
Excitation power dependence of photoluminescence spectra of GaSb type-II quantum dots in GaAs grown by droplet epitaxy
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液滴外延生长的 GaAs 中 GaSb II 型量子点的光致发光光谱的激发功率依赖性
DOI：
10.1063/1.4947464
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Y. Sakuma and H. Sakaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kawazu;T. Noda;Y. Sakuma and H. Sakaki
