Neuromorphic transistor achieved by redox reaction of WO3 thin film
Neuromorphic transistor achieved by redox reaction of WO3 thin film
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WO3薄膜氧化还原反应实现神经形态晶体管
DOI：
10.7567/jjap.57.04fk01
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Terabe Kazuya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tsuchiya Takashi;Jayabalan Manikandan;Kawamura Kinya;Takayanagi Makoto;Higuchi Tohru;Jayavel Ramasamy;Terabe Kazuya
