A 900-MHz/1.8-GHz CMOS transmitter for dual-band applications
A 900-MHz/1.8-GHz CMOS transmitter for dual-band applications
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适用于双频段应用的 900MHz/1.8GHz CMOS 发射器
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
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通讯作者：
Behzad Razavi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Behzad Razavi
该电路配置为两步架构，生成正交相位的第一个上变频信号，随后执行单边带调制，以产生两个频带的输出。该发射机采用0.6-/spl mu/m CMOS技术制造，采用3 V电源供电，功耗为70 mW。
Configured as a two-step architecture, the circuit generates the first up-converted signal in quadrature phases and subsequently performs single-sideband modulation to produce the output in the two bands. Fabricated in a 0.6-/spl mu/m CMOS technology, the transmitter draws 70 mW from a 3-V supply.