Fabrication of ultrasmall devices on thin active GaAs membranes
Fabrication of ultrasmall devices on thin active GaAs membranes
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在薄活性 GaAs 膜上制造超小型器件
DOI：
10.1116/1.583893
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Wilkinson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Lee;J. Frost;C. Stanley;W. Patrick;W. Mackie;S. Beaumont;C. Wilkinson
我们在这里报告了一种在50 nm厚的n掺杂GaAs薄膜上制造具有非常短的栅极的金属半导体场效应晶体管（MESFET）的方法。可以将膜装置与固体基底上的常规装置进行比较，以研究基底对装置操作的影响。我们还提出了一种制作极细间距叉指光栅的技术。在氮化硅膜上制造了中心间距为24 nm的金属光栅，这是迄今为止报道的最小间距。最后，我们提出了一个横向超晶格结构，通过使用这样的光栅上的GaAs膜。
We report here a method for fabricating metal–semiconductor field effect transistors (MESFET’s) with very short gates on 50 nm thick n‐doped GaAs membranes. Membrane devices can be compared to conventional devices on solid substrates in order to study the effect of a substrate on device operation. We also present a technique for making extremely fine pitch interdigital gratings. A metal grating with 24 nm center‐to‐center spacing has been fabricated on a silicon nitride membrane, the smallest pitch reported so far. Finally, we propose a lateral superlattice structure by using such a grating on a GaAs membrane.