Self-assembled nanostructures inside indirect bandgap semiconductor by using IR femtosecond double-pulses
Self-assembled nanostructures inside indirect bandgap semiconductor by using IR femtosecond double-pulses
复制标题
利用红外飞秒双脉冲在间接带隙半导体内部自组装纳米结构
DOI：
10.2961/jlmn.2016.01.0014
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Miura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Sei;Y. Shimotsuma;M. Sakakura;K. Miura
