Microscopic nature of coordination defects in amorphous silicon.
Microscopic nature of coordination defects in amorphous silicon.
复制标题
非晶硅配位缺陷的微观性质。
DOI：
10.1103/physrevb.40.9834
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Biegelsen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Stutzmann;Biegelsen
研究了29Si的自旋电子共振谱（ESR），在非掺杂的非晶态氢硅中自旋g=2.0055的共振，含有大量的同位素29Si，并给出了一个关于足够渗透的超精细结构张力和张力的定量模型。利用实验结果探讨了硅非晶中最重要的缺陷电子态的微观起源
Etude des spectres de resonance de spin electronique (ESR) de 29 Si, pour la resonance de spin g=2.0055 dans le Silicium amorphe hydrogene non dope, contenant une abondance naturelle de l'isotope 29 Si, avec un rapport signal sur bruit suffisant permettant une modelisation quantitative du tenseur de la structure hyperfine et du tenseur g. Les resultats experimentaux sont utilises pour discuter l'origine microscopique de l'etat de defaut electronique profond le plus important dans Si amorphe