Heteroepitaxial Integration of ZnGeN2 on GaN Buffers Using Molecular Beam Epitaxy
Heteroepitaxial Integration of ZnGeN2 on GaN Buffers Using Molecular Beam Epitaxy
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使用分子束外延将 ZnGeN2 异质外延集成在 GaN 缓冲器上
DOI：
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发表时间：
2020
影响因子：
3.8
通讯作者：
Adele Tamboli
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tellekamp;Celeste L. Melamed;Celeste L. Melamed;A. Norman;A. Tamboli;Adele Tamboli
最近理论上的混合II-IV-N2/III-N异质结构，基于当前商业化的（In，Ga）N器件，预计将显着推进高效光电子器件的设计空间。
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