Ab initio-based approach to novel behavior in semiconductor hetero-epitaxial growth
Ab initio-based approach to novel behavior in semiconductor hetero-epitaxial growth
复制标题
基于从头计算的半导体异质外延生长新行为的方法
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.03.010
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Nakamura Kohji
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ito Tomonori;Akiyama Toru;Nakamura Kohji
