Kazuhide Kusakabe et al.: "Reduction of threading dislocations in migration enhanced epitaxy grown GaN with N-polarity by use of AIN multiple interlayer"Journal of Crystal Growth. 230. 387-391 (2001)
Kazuhide Kusakabe et al.: "Reduction of threading dislocations in migration enhanced epitaxy grown GaN with N-polarity by use of AIN multiple interlayer"Journal of Crystal Growth. 230. 387-391 (2001)
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Kazuhide Kusakabe 等人：“通过使用 AIN 多层中间层减少迁移增强外延生长的 N 极性 GaN 中的螺纹位错”《晶体生长杂志》。
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