T.Suesada, N.Nakamura, H.Nagasawa, and H.Kawarada: "Initial Growth of Heteroepitaxial Diamond on Si (001) Substrates via beta-SiC Buffer Layr" Jpn.J.Appl.Phys.34 (9A). 4898-4904 (1995)
T.Suesada, N.Nakamura, H.Nagasawa, and H.Kawarada: "Initial Growth of Heteroepitaxial Diamond on Si (001) Substrates via beta-SiC Buffer Layr" Jpn.J.Appl.Phys.34 (9A). 4898-4904 (1995)
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T.Suesada、N.Nakamura、H.Nagasawa 和 H.Kawarada：“通过 β-SiC 缓冲层在 Si (001) 基底上异质外延金刚石的初始生长”Jpn.J.Appl.Phys.34 (9A)。
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