Electric-field control of ferromagnetism in (Ga,Mn)As
Electric-field control of ferromagnetism in (Ga,Mn)As
复制标题
DOI：
10.1063/1.2362971
复制
发表时间：
2006-10-16
影响因子：
4
通讯作者：
Ohno, H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chiba, D.;Matsukura, F.;Ohno, H.
作者展示了通过在铁磁半导体 (Ga,Mn)As 中施加外部电场 E 来调节居里温度 T-C 和矫顽力 mu H-0(c)，其中使用了具有 Al2O3 栅极绝缘体的场效应晶体管结构。应用E=+5(-5)MV/cm降低(增加)沟道层的T-C。 mu H-0(c) 也随着 E 增加（减少）到 T-C 以下而减少（增加）。讨论了E对μ H-0(c)的调节机制。
The authors show modulation of Curie temperature T-C and coercivity mu H-0(c) by applying external electric fields E in a ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As, where a field-effect transistor structure with an Al2O3 gate insulator is utilized. Application of E=+5 (-5) MV/cm decreases (increases) T-C of the channel layer. mu H-0(c) also decreases (increases) with increasing (decreasing) E below T-C. The mechanism of the modulation of mu H-0(c) by E is discussed.