Au and Al interface reactions with SiO2
Au and Al interface reactions with SiO2
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Au 和 Al 与 SiO2 的界面反应
DOI：
10.1063/1.91720
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发表时间：
1980
影响因子：
4
通讯作者：
L. Brillson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. S. Bauer;R. Bachrach;L. Brillson
用软X射线光电子能谱研究了室温原位金属化后金属-氧化物半导体界面区的化学键、程度和演化。我们在金属-SiO_2界面上发现了强烈的原子重排和电荷转移。Au和Al在数量上不同的过程表明了新的结构模型。对于Al-SiO_2，Al首先聚集在每个表面O周围，然后通过还原SiOx(X<；2)并在界面上留下多余的Si来生长Al_2O_3。相反，Au在具有Au-Si成键证据的SiO_2上形成岛屿，从而在接触下方形成SiOx层。
The chemical bonding, extent, and evolution of metal‐oxide semiconductor interface regions have been probed with soft‐x‐ray photoemission spectroscopy following room‐temperature, in situ metallization. We identify strong atomic rearrangement and charge transfer at metal‐SiO2 interfaces. The quantitatively different processes found for Au and Al suggest new structural models. For Al‐SiO2, Al first clusters about each surface O and then grows Al2O3 by reducing SiOx (X < 2) and leaving excess Si at the interface. In contrast, Au forms islands on SiO2 with evidence of Au–Si bonding, causing an SiOx layer beneath the contact.