真島 晃彦: "GaAs:YbF_3およびGaAs:YbPエピタキシャル層の光学的・電気的性貭" 明治大学理工学部研究報告. 5. 13-19 (1992)

真島 晃彦: "GaAs:YbF_3およびGaAs:YbPエピタキシャル層の光学的・電気的性貭" 明治大学理工学部研究報告. 5. 13-19 (1992)
复制标题

真岛明彦:“GaAs:YbF_3 和 GaAs:YbP 外延层的光学和电学特性”明治大学理工学院研究报告 5. 13-19 (1992)。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献