水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成
水素エッチングとSiO2堆積後の窒化処理を組み合わせた高品質4H-SiC/SiO2界面の形成
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SiO2沉积后结合氢刻蚀和氮化处理形成高质量4H-SiC/SiO2界面
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
木本 恒暢
中科院分区：
文献类型：
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作者：
立木 馨大;金子 光顕;小林 拓真;木本 恒暢
