I. Yonenaga, T. Taishi, X. Huang, and K. Hoshikawa: "Dynamic characteristics of dislocations in Ge doped and (Ge+B) codoped silicon"Journal of Applied Physics. 93. 265-269 (2003)
I. Yonenaga, T. Taishi, X. Huang, and K. Hoshikawa: "Dynamic characteristics of dislocations in Ge doped and (Ge+B) codoped silicon"Journal of Applied Physics. 93. 265-269 (2003)
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I. Yonenaga、T. Taishi、X. Huang 和 K. Hoshikawa：“Ge 掺杂和 (Ge B) 共掺杂硅中位错的动态特性”应用物理学杂志。
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