X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(2)
X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(2)
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使用X射线形貌法评估GaN晶体的横截面样品（2）
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
秋本晃一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
北野祐子;宮川理子;井上絵美子;秋本晃一
