First-principles calculations on metal-inducedgap states at metal-semiconductor interfaces

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金属-半导体界面金属诱导间隙态的第一性原理计算

DOI:
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发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
合田義弘
合田義弘
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
羽曾部卓;Atula Sandanayaka;T. Hayashi・田中勇作・M. Hara;合田義弘

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