Charging and Discharging Characteristics of P-doped Si Quantum Dots Floating Gate

Charging and Discharging Characteristics of P-doped Si Quantum Dots Floating Gate
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P掺杂硅量子点浮栅充放电特性

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Abst. of The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices
影响因子：
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通讯作者：
K.Makihara
K.Makihara
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K;Makihara;K.Makihara;K.Makihara

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