Bias temperature instability and condition monitoring in SiC power MOSFETs
Bias temperature instability and condition monitoring in SiC power MOSFETs
复制标题
SiC 功率 MOSFET 的偏置温度不稳定性和状态监测
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Alatise
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. González;O. Alatise
