リソグラフィ用 EUV(極端紫外)光源研究の現状と将来展望 3.EUV リソグラフィ光源としてのプラズマ その理論的な考察について
リソグラフィ用 EUV(極端紫外)光源研究の現状と将来展望 3.EUV リソグラフィ光源としてのプラズマ その理論的な考察について
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光刻用EUV（极紫外）光源研究现状及未来展望3.等离子体作为EUV光刻光源及其理论思考
DOI：
10.1585/jspf.79.226
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
仁紀 米田
中科院分区：
文献类型：
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作者：
仁紀 米田
极紫外 (EUV) 辐射源是 EUV 光刻成功的关键因素。尽管产生 EUV 光的方法和操作参数有很多，但目前已知的光源均无法满足 EUV 光刻系统的要求。此外，EUV 源必须是整个光刻系统的一个组成部分，并且必须满足整个系统其他部分规定的几个标准。为了研究此类源的前景，我们使用包括不透明度、离子丰度、流体动力学和辐射传输的模型来估计热致密等离子体的发射率。对于定量估计，考虑了Xe9+和Xe10+能量结构的相似性。关于 Xe10+ 电离和激发态能量的数据很少。提出了各种改进想法。
An extreme ultraviolet (EUV) radiation source is a critical factor for the success of EUV lithography. Although there are many methods and operating parameters for the generation of EUV light, none of the currently known sources meets the requirements of EUV lithography systems. In addition, the EUV source must be an integral part of a total lithography system, and must satisfy several criteria imposed by other parts of the entire system. For the purpose of examining the prospects for such sources, the emissivity from hot dense plasmas has been estimated with a model including opacity, ion abundance, hydrodynamics, and radiation transport. For quantitative estimation, the similarity of energy structure of Xe9+ and Xe10+ is considered. Only a small amount of data exists regarding Xe10+ ionization and energies of excited states. Various ideas for improvements are presented.