Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication

Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication
复制标题

热等离子体喷射退火在薄膜晶体管制造的沟道结晶和掺杂中的应用

DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
Dig. Tec. Papers of the fourteenth international workshop on ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAY AND DEVICES
影响因子：
--
通讯作者：
Hirotaka Kaku
Hirotaka Kaku
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
金政祐司;大竹恵子;荒井弘和;五十嵐祐;大対香奈子;加藤潤三;加藤司;木村昌紀;串崎真志;小林知博;酒井佐枝子;相馬敏彦;畑中美穂枚;平井啓;三沢良;Satoshi Hino;Satoshi Hino;日野聡;日野聡;Satoshi Hino;日野 聡;日野 聡;Satoshi Hino;Hirotaka Kaku

文献摘要

相似文献