A.Nakajima, Y.Furukawa, H.Yonezu, S.Koga: "Molecular beam epitaxial growth of AlN on 6H-SiC substrates prepared by high temperature hydrogen etching"Extended Abstracts of 21st Electronic Materials Symposium (EMS), B10. 29-30 (2002)
A.Nakajima, Y.Furukawa, H.Yonezu, S.Koga: "Molecular beam epitaxial growth of AlN on 6H-SiC substrates prepared by high temperature hydrogen etching"Extended Abstracts of 21st Electronic Materials Symposium (EMS), B10. 29-30 (2002)
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A.Nakajima、Y.Furukawa、H.Yonezu、S.Koga：“通过高温氢蚀刻制备的 6H-SiC 衬底上 AlN 的分子束外延生长”第 21 届电子材料研讨会 (EMS) 扩展摘要，B10。
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