半導体ZnOにおけるコヒーレントフォノンの大振幅化
半導体ZnOにおけるコヒーレントフォノンの大振幅化
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半导体 ZnO 中相干声子的振幅更大
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
欅田英之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
橋本一弘;江馬一弘;欅田英之
