T.Hashizume: "A discrete surface state related to nitrogen-vacancy defect on plasma treated GaN surface"Applied Physics Letters. (投稿中). (2002)
T.Hashizume: "A discrete surface state related to nitrogen-vacancy defect on plasma treated GaN surface"Applied Physics Letters. (投稿中). (2002)
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T.Hashizume：“与等离子体处理的 GaN 表面上的氮空位缺陷相关的离散表面状态”应用物理快报（2002 年）。
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