Low temperature (<300°C) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices
Low temperature (<300°C) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices
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用于先进电子器件的 Ge MOS 结构的低温 (<300°C) 制造
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Iseri;W.-C. Wen;K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima
