Y. Koide, S. Zaima, N. Ohshima and Y. Yasuda: "Growth Processes in the Initial Stages of Deposition of Ge Films on (100)Si Surfaces by GeH_4 Source Molecular Beam Epitaxy." Journal of Crystal Growth.
Y. Koide, S. Zaima, N. Ohshima and Y. Yasuda: "Growth Processes in the Initial Stages of Deposition of Ge Films on (100)Si Surfaces by GeH_4 Source Molecular Beam Epitaxy." Journal of Crystal Growth.
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Y. Koide、S. Zaima、N. Ohshima 和 Y. Yasuda：“GeH_4 源分子束外延在 (100)Si 表面上沉积 Ge 薄膜的初始阶段的生长过程”。
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