Growth and Characterization of Nonpolar 4H-AlN/AlGaN Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates
Growth and Characterization of Nonpolar 4H-AlN/AlGaN Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates
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4H-SiC 衬底上非极性 4H-AlN/AlGaN 多量子阱的生长和表征
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masahiro Horita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Yoshida;et al.;田中展;Masahiro Horita
