ニアスレッショルド電圧動作超低電圧リテンションSRAMの設計と性能解析
ニアスレッショルド電圧動作超低電圧リテンションSRAMの設計と性能解析
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近阈值电压工作超低电压保持SRAM的设计与性能分析
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原拓実，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
SUZUKI Daisuke;OKA Takahiro、HANYU Takahiro;Keisuke Kozu and Kazuteru Namba;原拓実，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
